В Институте физики микроструктур – филиале ИПФ РАН впервые в мире продемонстрирован непрерывный двухфотонный терагерцовый квантовый каскадный лазер. Активной областью лазера является полупроводниковая сверхрешетка GaAs/Al0.15Ga0.85As c четырьмя квантовыми ямами в каждом периоде.
Рассчитанные диаграммы зоны проводимости и квадраты модулей волновых функций электронов структуры ТГц ККЛ на основе GaAs/Al0.15Ga0.85As при температуре T = 70 К и напряжении на периоде структуры V = 66 мВ. Стрелками обозначены излучательные переходы. Пунктирным прямоугольником обозначен период каскадной структуры. Источник: пресс-служба ИПФ РАН
В авторский коллектив вошли сотрудники ИФМ — филиала ИПФ РАН, Белорусского государственного университета (г. Минск), ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН, Академического университета им. Ж.И. Алфёрова РАН, НТЦ микроэлектроники РАН и МГУ им. М.В. Ломоносова РАН.